YMIN Thin Film Capacitors များသည် Infineon ၏ CoolSiC™ MOSFET G2 ကို ပြီးပြည့်စုံစွာ ဖြည့်စွမ်းပေးသည် ။
Infineon ၏ မျိုးဆက်သစ် Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFET G2 သည် ပါဝါစီမံခန့်ခွဲမှုတွင် ထိပ်တန်းဆန်းသစ်တီထွင်မှုများဖြစ်သည်။YMIN Thin Film Capacitors များသည် ၎င်းတို့၏ နိမ့် ESR ဒီဇိုင်း၊ မြင့်မားသော အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော ဗို့အား၊ ယိုစိမ့်နေသော လက်ရှိ၊ မြင့်မားသော အပူချိန် တည်ငြိမ်မှုနှင့် စွမ်းရည်မြင့်မားသော သိပ်သည်းဆတို့နှင့်အတူ၊ မြင့်မားသော စွမ်းဆောင်ရည်၊ မြင့်မားသော စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် မြင့်မားသော ယုံကြည်စိတ်ချရမှုတို့ကို ရရှိစေရန် အထောက်အကူဖြစ်စေသော၊ ဤထုတ်ကုန်အတွက် ခိုင်ခံ့သော အထောက်အပံ့ကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ အီလက်ထရွန်နစ် စက်ပစ္စည်းများတွင် ပါဝါကူးပြောင်းမှုအတွက် ဖြေရှင်းချက်အသစ်။
YMIN ၏ အင်္ဂါရပ်များနှင့် အားသာချက်များThin Film Capacitors
ESR နိမ့်သည်-
YMIN Thin Film Capacitors ၏ ESR နည်းပါးသော ဒီဇိုင်းသည် ပါဝါထောက်ပံ့မှုတွင် ကြိမ်နှုန်းမြင့်ဆူညံသံများကို ထိရောက်စွာ ကိုင်တွယ်နိုင်ပြီး CoolSiC™ MOSFET G2 ၏ ပြောင်းလဲမှုနည်းပါးသော ဆုံးရှုံးမှုများကို ဖြည့်ဆည်းပေးပါသည်။
High Rated Voltage နှင့် Low Leakage-
YMIN Thin Film Capacitors ၏ အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော မြင့်မားသောဗို့အားနှင့် ယိုစိမ့်မှုနည်းပါးသော လက်ရှိဝိသေသလက္ခဏာများသည် CoolSiC™ MOSFET G2 ၏ မြင့်မားသောအပူချိန်တည်ငြိမ်မှုကို မြှင့်တင်ပေးပြီး ကြမ်းတမ်းသောပတ်ဝန်းကျင်များတွင် စနစ်တည်ငြိမ်မှုအတွက် ခိုင်မာသောပံ့ပိုးမှုပေးပါသည်။
မြင့်မားသောအပူချိန်တည်ငြိမ်မှု-
CoolSiC™ MOSFET G2 ၏ သာလွန်ကောင်းမွန်သော အပူစီမံခန့်ခွဲမှုနှင့်အတူ YMIN Thin Film Capacitors ၏ မြင့်မားသော အပူချိန်တည်ငြိမ်မှုသည် စနစ်၏ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် တည်ငြိမ်မှုကို ပိုမိုတိုးတက်စေသည်။
စွမ်းရည်မြင့် သိပ်သည်းဆ-
ပါးလွှာသော ဖလင်ကာပတ်စီတာများ၏ မြင့်မားသော စွမ်းရည်သိပ်သည်းဆသည် စနစ်ဒီဇိုင်းတွင် ပိုမိုပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်နှင့် အာကာသအသုံးချမှုကို ပေးစွမ်းသည်။
နိဂုံး
Infineon ၏ CoolSiC™ MOSFET G2 အတွက် စံပြမိတ်ဖက်အဖြစ် YMIN Thin Film Capacitors သည် ကောင်းမွန်သော အလားအလာကို ပြသသည်။နှစ်ခု၏ပေါင်းစပ်မှုသည် စနစ်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုးတက်စေပြီး အီလက်ထရွန်နစ်စက်ပစ္စည်းများအတွက် ပိုမိုကောင်းမွန်သောပံ့ပိုးမှုပေးပါသည်။
စာတိုက်အချိန်- မေလ ၂၇-၂၀၂၄