PCIM အဓိကအချက်
ရှန်ဟိုင်း၊ ၂၀၂၅ ခုနှစ်၊ စက်တင်ဘာလ ၂၅ ရက်—ယနေ့ နံနက် ၁၁:၄၀ နာရီတွင် ရှန်ဟိုင်းမြို့သစ် အပြည်ပြည်ဆိုင်ရာ ပြပွဲစင်တာ၏ ခန်းမ N4 တွင် ကျင်းပသော PCIM Asia 2025 နည်းပညာဖိုရမ်တွင် ရှန်ဟိုင်း YMIN Electronics Co., Ltd. ၏ ဒုတိယဥက္ကဋ္ဌ မစ္စတာ Zhang Qingtao က “တတိယမျိုးဆက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ ဖြေရှင်းချက်အသစ်များတွင် ကက်ပတာများ၏ ဆန်းသစ်သော အသုံးချမှုများ” ခေါင်းစဉ်ဖြင့် အဓိက မိန့်ခွန်းတစ်ရပ် ပြောကြားခဲ့ပါသည်။
မိန့်ခွန်းတွင် မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်း၊ မြင့်မားသောဗို့အားနှင့် မြင့်မားသောအပူချိန်ကဲ့သို့သော အလွန်အမင်းလည်ပတ်မှုအခြေအနေများအောက်တွင် capacitor များအတွက် silicon carbide (SiC) နှင့် gallium nitride (GaN) ကဲ့သို့သော တတိယမျိုးဆက် semiconductor နည်းပညာများကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော စိန်ခေါ်မှုအသစ်များကို အာရုံစိုက်ခဲ့သည်။ မိန့်ခွန်းတွင် YMIN capacitor များ၏ နည်းပညာဆိုင်ရာတိုးတက်မှုများနှင့် capacitance သိပ်သည်းဆမြင့်မားခြင်း၊ ESR နိမ့်ခြင်း၊ သက်တမ်းရှည်ခြင်းနှင့် မြင့်မားသောယုံကြည်စိတ်ချရမှုတို့ကို ရရှိရန် လက်တွေ့ကျသော ဥပမာများကို စနစ်တကျမိတ်ဆက်ပေးခဲ့သည်။
အဓိကအချက်များ
SiC နှင့် GaN ကိရိယာများကို စွမ်းအင်အသစ်ယာဉ်များ၊ photovoltaic စွမ်းအင်သိုလှောင်မှု၊ AI server များ၊ စက်မှုလုပ်ငန်းသုံး ဓာတ်အားထောက်ပံ့မှုများနှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် အလျင်အမြန်အသုံးပြုလာခြင်းနှင့်အတူ capacitor များကို ပံ့ပိုးပေးရန်အတွက် စွမ်းဆောင်ရည်လိုအပ်ချက်များသည် ပိုမိုတင်းကျပ်လာပါသည်။ Capacitor များသည် ပံ့ပိုးပေးသည့်အခန်းကဏ္ဍများသာမဟုတ်တော့ဘဲ ယခုအခါ စနစ်တစ်ခု၏ တည်ငြိမ်မှု၊ ထိရောက်မှုနှင့် တာရှည်ခံမှုကို ဆုံးဖြတ်ပေးသည့် အရေးကြီးသော “အင်ဂျင်” ဖြစ်လာပါသည်။ ပစ္စည်းဆန်းသစ်တီထွင်မှု၊ ဖွဲ့စည်းပုံဆိုင်ရာ အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်မှုနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်အဆင့်မြှင့်တင်မှုများမှတစ်ဆင့် YMIN သည် capacitor များတွင် ထုထည်၊ စွမ်းရည်၊ အပူချိန်နှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှု စသည့် ရှုထောင့်လေးခုတွင် ပြည့်စုံသောတိုးတက်မှုများကို ရရှိခဲ့ပါသည်။ ၎င်းသည် တတိယမျိုးဆက် semiconductor အပလီကေးရှင်းများကို ထိရောက်စွာအကောင်အထည်ဖော်ရန်အတွက် အရေးကြီးလာပါသည်။
နည်းပညာဆိုင်ရာစိန်ခေါ်မှုများ
၁။ AI Server Power Supply Solution · Navitas GaN နှင့် ပူးပေါင်းဆောင်ရွက်ခြင်း။ စိန်ခေါ်မှုများ- မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းပြောင်းလဲခြင်း (>100kHz)၊ မြင့်မားသော ripple current (>6A) နှင့် မြင့်မားသောအပူချိန်ပတ်ဝန်းကျင် (>75°C)။ ဖြေရှင်းချက်-IDC3 စီးရီးESR နိမ့်သော အီလက်ထရိုလိုက်တစ် ကက်ပတာများ၊ ESR ≤ 95mΩ နှင့် 105°C တွင် သက်တမ်း 12,000 နာရီ။ ရလဒ်များ- စုစုပေါင်း အရွယ်အစား 60% လျော့ကျခြင်း၊ စွမ်းဆောင်ရည် 1%-2% တိုးတက်မှုနှင့် အပူချိန် 10°C လျော့ကျခြင်း။
၂။ NVIDIA AI Server GB300-BBU အရန်ပါဝါထောက်ပံ့မှု · ဂျပန်၏ Musashi ကို အစားထိုးခြင်း။ စိန်ခေါ်မှုများ- GPU ပါဝါရုတ်တရက်မြင့်တက်လာခြင်း၊ မီလီစက္ကန့်အဆင့်တုံ့ပြန်မှုနှင့် အပူချိန်မြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်များတွင် သက်တမ်းယိုယွင်းခြင်း။ ဖြေရှင်းချက်-LIC စတုရန်း စူပါကက်ပတာများ၊ အတွင်းပိုင်းခုခံမှု <1mΩ၊ လည်ပတ်မှုအကြိမ်ရေ ၁ သန်းနှင့် ၁၀ မိနစ်အတွင်း အမြန်အားသွင်းနိုင်သည်။ ရလဒ်များ- အရွယ်အစား ၅၀%-၇၀% လျော့ကျခြင်း၊ အလေးချိန် ၅၀%-၆၀% လျော့ကျခြင်းနှင့် 15-21kW အမြင့်ဆုံးပါဝါကို ထောက်ပံ့ပေးခြင်း။
၃။ ဂျပန် Rubycon အစားထိုး Infineon GaN MOS480W ရထားဓာတ်အားထောက်ပံ့မှု။ စိန်ခေါ်မှုများ- -၄၀°C မှ ၁၀၅°C အထိ ကျယ်ပြန့်သော လည်ပတ်မှုအပူချိန်အကွာအဝေး၊ မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းရှိသော လှိုင်းထသောလျှပ်စီးကြောင်း မြင့်တက်မှုများ။ အဖြေ- အလွန်နိမ့်သော အပူချိန်ယိုယွင်းမှုနှုန်း <၁၀%၊ လှိုင်းထသောလျှပ်စီးကြောင်းခံနိုင်ရည် ၇.၈A။ ရလဒ်များ- -၄၀°C အပူချိန်နိမ့်စတင်မှုနှင့် မြင့်မားသော-နိမ့်သော အပူချိန်စက်ဝန်းစမ်းသပ်မှုများကို ၁၀၀% အောင်မြင်ခဲ့ပြီး ရထားလုပ်ငန်း၏ ၁၀ နှစ်ကျော်သက်တမ်းလိုအပ်ချက်နှင့် ကိုက်ညီပါသည်။
၄။ စွမ်းအင်သစ်ယာဉ်DC-Link Capacitors များ· ON Semiconductor ၏ 300kW မော်တာထိန်းချုပ်ကိရိယာနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။ စိန်ခေါ်မှုများ- ပြောင်းလဲခြင်းကြိမ်နှုန်း > 20kHz၊ dV/dt > 50V/ns၊ ပတ်ဝန်းကျင်အပူချိန် > 105°C။ ဖြေရှင်းချက်- ESL < 3.5nH၊ 125°C တွင် သက်တမ်း > 10,000 နာရီနှင့် ယူနစ်ပမာဏတစ်ခုလျှင် စွမ်းရည် 30% တိုးလာခြင်း။ ရလဒ်များ- အလုံးစုံစွမ်းဆောင်ရည် > 98.5%၊ ပါဝါသိပ်သည်းဆ 45kW/L ထက်ကျော်လွန်ခြင်းနှင့် ဘက်ထရီသက်တမ်း ၅% ခန့်တိုးလာခြင်း။ ၅။ GigaDevice 3.5kW အားသွင်းပုံဖြေရှင်းချက်။ YMIN သည် နက်ရှိုင်းသောပံ့ပိုးမှုကို ပေးဆောင်သည်။
စိန်ခေါ်မှုများ- PFC switching frequency သည် 70kHz၊ LLC switching frequency သည် 94kHz-300kHz၊ input-side ripple current သည် 17A ကျော်အထိ မြင့်တက်လာပြီး core အပူချိန်မြင့်တက်လာခြင်းသည် သက်တမ်းကို ပြင်းထန်စွာ သက်ရောက်မှုရှိသည်။
ဖြေရှင်းချက်- ESR/ESL လျှော့ချရန်အတွက် multi-tab parallel structure ကို အသုံးပြုသည်။ GD32G553 MCU နှင့် GaNSafe/GeneSiC devices များနှင့် ပေါင်းစပ်လိုက်သောအခါ 137W/in³ ၏ power density ကို ရရှိစေပါသည်။
ရလဒ်များ- စနစ်၏ အမြင့်ဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်မှာ 96.2%၊ PF မှာ 0.999 နှင့် THD မှာ 2.7% ဖြစ်ပြီး လျှပ်စစ်ကားအားသွင်းစခန်းများ၏ မြင့်မားသောယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် ၁၀-၂၀ နှစ်သက်တမ်းလိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။
နိဂုံးချုပ်
တတိယမျိုးဆက် semiconductor များ၏ ခေတ်မီအသုံးချမှုများကို စိတ်ဝင်စားပြီး capacitor ဆန်းသစ်တီထွင်မှုသည် စနစ်စွမ်းဆောင်ရည်ကို မည်သို့တိုးတက်စေပြီး နိုင်ငံတကာအမှတ်တံဆိပ်များကို မည်သို့အစားထိုးနိုင်သည်ကို လေ့လာလိုပါက အသေးစိတ်နည်းပညာဆိုင်ရာဆွေးနွေးမှုအတွက် Hall N5 ရှိ YMIN booth C56 သို့ လာရောက်လည်ပတ်ပါ။
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၅ ခုနှစ်၊ စက်တင်ဘာလ ၂၆ ရက်