[Speech Day] YMIN PCIM သည် တတိယမျိုးဆက် semiconductor အပလီကေးရှင်းများကို ထိရောက်စွာ အကောင်အထည်ဖော်နိုင်စေရန် ဆန်းသစ်သော capacitor ဖြေရှင်းချက်များကို ထုတ်ဖော်ပြသခဲ့သည်။

PCIM အဓိကမှတ်ချက်

ရှန်ဟိုင်း၊ စက်တင်ဘာ 25 ရက်၊ 2025-ယနေ့ နံနက် 11:40 နာရီတွင် Shanghai New International Expo Center ၏ Hall N4 တွင်ကျင်းပသည့် PCIM Asia 2025 Technology Forum တွင် Shanghai YMIN Electronics Co., Ltd. ၏ ဒုတိယဥက္ကဌ Mr. Zhang Qingtao က "Innovative Applications of Thirdmic-Solutions" ခေါင်းစဉ်ဖြင့် အဓိကမိန့်ခွန်း ပြောကြားခဲ့ပါသည်။

အဆိုပါမိန့်ခွန်းသည် ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားမှု၊ ဗို့အားမြင့်နှင့် အပူချိန်မြင့်မားမှုကဲ့သို့သော ပြင်းထန်သောလည်ပတ်မှုအခြေအနေများအောက်တွင် capacitors အတွက် ဆီလီကွန်ကာဗိုက် (SiC) နှင့် gallium nitride (GaN) ကဲ့သို့သော တတိယမျိုးဆက် semiconductor နည်းပညာများဖြင့် စိန်ခေါ်မှုအသစ်များကို အာရုံစိုက်ခဲ့သည်။ မိန့်ခွန်းသည် YMIN capacitors ၏ နည်းပညာဆိုင်ရာ အောင်မြင်မှုများနှင့် လက်တွေ့ကျသော နမူနာများကို စနစ်တကျ မိတ်ဆက်ခဲ့ပြီး စွမ်းရည်သိပ်သည်းဆ၊ ESR နည်းပါးခြင်း၊ အသက်ရှည်ခြင်းနှင့် မြင့်မားသော ယုံကြည်စိတ်ချရမှုတို့ကို ရရှိစေရန်အတွက် လက်တွေ့ကျသော ဥပမာများကို မိတ်ဆက်ပေးခဲ့သည်။

အဓိကအချက်များ

စွမ်းအင်သုံးကားအသစ်များ၊ photovoltaic စွမ်းအင်သိုလှောင်မှု၊ AI ဆာဗာများ၊ စက်မှုစွမ်းအင်ထောက်ပံ့မှုများနှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် SiC နှင့် GaN စက်ပစ္စည်းများကို လျင်မြန်စွာလက်ခံခြင်းဖြင့်၊ ပံ့ပိုးပေးသည့် capacitors အတွက် စွမ်းဆောင်ရည်လိုအပ်ချက်များသည် ပိုမိုတင်းကျပ်လာသည်။ Capacitors များသည် ပံ့ပိုးပေးသည့် အခန်းကဏ္ဍများသာ မဟုတ်တော့ပါ။ ၎င်းတို့သည် ယခုအခါ စနစ်တစ်ခု၏ တည်ငြိမ်မှု၊ ထိရောက်မှု၊ နှင့် အသက်ရှည်မှုကို ဆုံးဖြတ်ပေးသည့် အရေးကြီးသော “အင်ဂျင်” ဖြစ်သည်။ ပစ္စည်းဆန်းသစ်တီထွင်မှု၊ ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံဆိုင်ရာ ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်းနှင့် လုပ်ငန်းစဉ်အဆင့်မြှင့်တင်ခြင်းများမှတစ်ဆင့် YMIN သည် အတိုင်းအတာလေးခုရှိ ကာပါစီတာများတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်တိုးတက်မှုများ ရရှိခဲ့သည်- ထုထည်၊ စွမ်းရည်၊ အပူချိန်နှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှု။ ၎င်းသည် တတိယမျိုးဆက် semiconductor applications များကို ထိရောက်စွာ အကောင်အထည်ဖော်ရန်အတွက် အရေးပါလာပါသည်။

နည်းပညာဆိုင်ရာစိန်ခေါ်မှုများ

1. AI Server Power Supply Solution · Navitas GaN နှင့် ပူးပေါင်းဆောင်ရွက်ခြင်း။ စိန်ခေါ်မှုများ- ကြိမ်နှုန်းမြင့်ပြောင်းခြင်း (> 100kHz)၊ မြင့်မားသောလှိုင်းစီးကြောင်း (>6A) နှင့် အပူချိန်မြင့်သောပတ်ဝန်းကျင် (> 75°C)။ ဖြေရှင်းချက်-IDC3 စီးရီးLow-ESR electrolytic capacitors၊ ESR ≤ 95mΩ နှင့် 105°C တွင် 12,000 နာရီ သက်တမ်း။ ရလဒ်များ- အလုံးစုံအရွယ်အစား 60% လျှော့ချခြင်း၊ 1%-2% ထိရောက်မှု မြှင့်တင်ခြင်းနှင့် အပူချိန် 10°C လျှော့ချခြင်း။

2. NVIDIA AI ဆာဗာ GB300-BBU Backup Power Supply · Japan's Musashi ကို အစားထိုးခြင်း။ စိန်ခေါ်မှုများ- ရုတ်တရက် GPU ပါဝါတက်လာခြင်း၊ မီလီစက္ကန့်အဆင့် တုံ့ပြန်မှုနှင့် အပူချိန်မြင့်မားသောပတ်ဝန်းကျင်များတွင် သက်တမ်းကျဆင်းခြင်း။ ဖြေရှင်းချက်-LIC စတုရန်း supercapacitorsအတွင်းခံခုခံမှု <1mΩ၊ 1 million cycles နှင့် 10 မိနစ် အမြန်အားသွင်းခြင်း။ ရလဒ်များ- အရွယ်အစား 50%-70% လျှော့ချခြင်း၊ အလေးချိန် 50%-60% လျှော့ချခြင်းနှင့် 15-21kW အမြင့်ဆုံးပါဝါအတွက် ပံ့ပိုးမှု။

3. Infineon GaN MOS480W ရထားလမ်းပါဝါထောက်ပံ့မှု ဂျပန်ရူဘီကွန်ကို အစားထိုးခြင်း။ စိန်ခေါ်မှုများ- ကျယ်ပြန့်သော လည်ပတ်မှုအပူချိန် အကွာအဝေး -40°C မှ 105°C၊ ကြိမ်နှုန်းမြင့် ripple current surges။ ဖြေရှင်းချက်- အလွန်နိမ့်သော အပူချိန်ကျဆင်းမှုနှုန်း <10%, 7.8A ၏ ripple current ကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ ရလဒ်များ- -40°C အပူချိန်နိမ့်သည့် စတင်ခြင်းနှင့် 100% ဖြတ်သန်းမှုနှုန်းဖြင့် မြင့်မားသောအပူချိန် စက်ဝိုင်းစမ်းသပ်မှုများကို အောင်မြင်ပြီး ရထားလုပ်ငန်း၏ 10 နှစ်+ သက်တမ်းလိုအပ်ချက်နှင့် ကိုက်ညီပါသည်။

4. စွမ်းအင်သစ်ယာဉ်DC-Link Capacitors များ· ON Semiconductor ၏ 300kW မော်တာထိန်းချုပ်ကိရိယာနှင့် ကိုက်ညီသည်။ စိန်ခေါ်မှုများ- ကြိမ်နှုန်းပြောင်းခြင်း > 20kHz၊ dV/dt > 50V/ns၊ ပတ်ဝန်းကျင်အပူချိန် > 105°C။ ဖြေရှင်းချက်- ESL < 3.5nH၊ သက်တမ်း> 125°C တွင် နာရီ 10,000 နှင့် တစ်ယူနစ် ထုထည်တစ်ခုလျှင် စွမ်းရည် 30% တိုးလာပါသည်။ ရလဒ်များ- အလုံးစုံထိရောက်မှု > 98.5%, ပါဝါသိပ်သည်းဆ 45kW/L ထက်ကျော်လွန်ပြီး ဘက်ထရီသက်တမ်း 5% ခန့် တိုးလာပါသည်။ 5. GigaDevice 3.5kW Charging Pile ဖြေရှင်းချက်။ YMIN သည် အတွင်းကျကျ ပံ့ပိုးပေးပါသည်။

စိန်ခေါ်မှုများ- PFC ကူးပြောင်းမှုအကြိမ်ရေသည် 70kHz၊ LLC ကူးပြောင်းမှုအကြိမ်ရေသည် 94kHz-300kHz၊ အဝင်ဘက်ခြမ်းရှိလှိုင်းများသည် 17A ကျော်အထိ တက်လာပြီး core temperature သည် သက်တမ်းကို ပြင်းထန်စွာ သက်ရောက်မှုရှိသည်။
ဖြေရှင်းချက်- ESR/ESL လျှော့ချရန် တက်ဘ်ပေါင်းစုံ အပြိုင်ဖွဲ့စည်းပုံကို အသုံးပြုပါသည်။ GD32G553 MCU နှင့် GaNSafe/GeneSiC စက်ပစ္စည်းများနှင့် ပေါင်းစပ်၍ ပါဝါသိပ်သည်းဆသည် 137W/in³ ရရှိသည်။
ရလဒ်များ- စနစ်၏ အမြင့်ဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်မှာ 96.2%, PF သည် 0.999 ဖြစ်ပြီး THD သည် 2.7%, လျှပ်စစ်ကားအားသွင်းစခန်းများ၏ 10-20 နှစ် သက်တမ်းလိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။

နိဂုံး

အကယ်၍ သင်သည် တတိယမျိုးဆက် ဆီမီးကွန်ဒတ်တာများ၏ နောက်ဆုံးပေါ်အသုံးချပရိုဂရမ်များကို စိတ်ဝင်စားပြီး capacitor ဆန်းသစ်တီထွင်မှုသည် စနစ်စွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုးတက်စေပြီး နိုင်ငံတကာအမှတ်တံဆိပ်များကို အစားထိုးနိုင်ပုံကို လေ့လာလိုလျှင် အသေးစိတ်နည်းပညာဆိုင်ရာ ဆွေးနွေးမှုတစ်ခုအတွက် Hall N5 ရှိ YMIN booth၊ C56 သို့ သွားရောက်ကြည့်ရှုပါ။

邀请函(၁)


စာတိုက်အချိန်- စက်တင်ဘာ-၂၆-၂၀၂၅