Chip အမျိုးအစား အလူမီနီယမ် အီလက်ထရွန်းနစ် ကတ်ပါစီတာ V3MC

အတိုချုံးဖော်ပြချက်-

CHIP အမျိုးအစား အလူမီနီယမ် အီလက်ထရွန်းနစ် ကတ်ပါစီတာ V3MC အလွန်မြင့်မားသော လျှပ်စစ်စွမ်းရည်နှင့် esr နည်းပါးသော ထုတ်ကုန်အသေးစားတစ်ခုဖြစ်ပြီး အနည်းဆုံး နာရီ 2000 ဖြင့် အလုပ်လုပ်နိုင်သော သက်တမ်းကို အာမခံနိုင်ပါသည်။ အလွန်မြင့်မားသောသိပ်သည်းဆပတ်ဝန်းကျင်အတွက် သင့်လျော်သည်၊ အလိုအလျောက်မျက်နှာပြင်အပြည့်တပ်ဆင်ခြင်းအတွက် အသုံးပြုနိုင်ပြီး၊ အပူချိန်မြင့်သောဂဟေဂဟေဆက်ခြင်းများနှင့် ကိုက်ညီပြီး RoHS ညွှန်ကြားချက်များကို လိုက်နာနိုင်သည်


ထုတ်ကုန်အသေးစိတ်

စံထုတ်ကုန်များစာရင်း

ထုတ်ကုန်အမှတ်အသား

ပင်မနည်းပညာဆိုင်ရာဘောင်များ

နည်းပညာဆိုင်ရာ ကန့်သတ်ချက်များ

♦ အလွန်မြင့်မားသောစွမ်းရည်၊ အနိမ့် impedance နှင့် အသေးစား V-CHIP ထုတ်ကုန်များကို နာရီ 2000 အာမခံပါသည်။

♦ သိပ်သည်းဆမြင့်သော အလိုအလျောက် မျက်နှာပြင် မြင့်သော အပူချိန် ပြန်လည်စီးဆင်းမှု ဂဟေဆက်ခြင်းအတွက် သင့်လျော်သည်။

♦ AEC-Q200 RoHS ညွှန်ကြားချက်နှင့်အညီ အသေးစိတ်သိရှိလိုပါက ကျွန်ုပ်တို့ထံ ဆက်သွယ်ပါ။

ပင်မနည်းပညာဆိုင်ရာဘောင်များ

ပရောဂျက်

ဝိသေသ

လည်ပတ်အပူချိန် အပိုင်းအခြား

-55~+105 ℃

Nominal voltage range

6.3-35V

ခံနိုင်ရည်ရှိမှု

220~2700uF

Leakage current (uA)

±20% (120Hz 25 ℃)

I≤0.01 CV သို့မဟုတ် 3uA ပိုကြီးသော C- Nominal capacity uF) V- အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော ဗို့အား (V) 2 မိနစ်စာဖတ်ခြင်း

Loss Tangent (25 ± 2 ℃ 120Hz)

အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော ဗို့အား(V)

၆.၃

10

16

25

35

tg ၆

၀.၂၆

၀.၁၉

၀.၁၆

၀.၁၄

၀.၁၂

အမည်ခံစွမ်းရည်သည် 1000uF ထက်ကျော်လွန်ပါက၊ ဆုံးရှုံးမှုတန်ဂျင့်တန်ဖိုးသည် 1000uF တိုးတိုင်းအတွက် 0.02 တိုးလာမည်ဖြစ်သည်။

အပူချိန်လက္ခဏာများ (120Hz)

အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော ဗို့အား (V)

၆.၃

10

16

25

35

Impedance အချိုး MAX Z(-40℃)/Z(20℃)

3

3

3

3

3

ယာဉ်စည်းကမ်း

105 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင်ရှိသော မီးဖိုတစ်ခုတွင် အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော ဗို့အားကို နာရီ 2000 ထားကာ အခန်းအပူချိန်တွင် 16 နာရီကြာ စမ်းသပ်ပါ။ စမ်းသပ်မှု အပူချိန်မှာ 20°C ဖြစ်သည်။ capacitor ၏စွမ်းဆောင်ရည်သည်အောက်ပါလိုအပ်ချက်များနှင့်ကိုက်ညီသင့်သည်။

စွမ်းရည်ပြောင်းလဲမှုနှုန်း

ကနဦးတန်ဖိုး၏ ±30% အတွင်း

ဆုံးရှုံးမှုတန်ဂျင့်

သတ်မှတ်ထားသောတန်ဖိုး၏ 300% အောက်

ယိုစိမ့်လျှပ်စီးကြောင်း

သတ်မှတ်ထားသောတန်ဖိုးအောက်တွင်

မြင့်မားသောအပူချိန်သိုလှောင်မှု

105°C တွင် 1000 နာရီကြာ သိုလှောင်ပါ၊ အခန်းအပူချိန်တွင် 16 နာရီအကြာ စမ်းသပ်ပြီးနောက်၊ စမ်းသပ်မှု အပူချိန်မှာ 25±2°C ဖြစ်ပြီး capacitor ၏ စွမ်းဆောင်ရည်သည် အောက်ပါ လိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီသင့်ပါသည်။

စွမ်းရည်ပြောင်းလဲမှုနှုန်း

ကနဦးတန်ဖိုး၏ ±20% အတွင်း

ဆုံးရှုံးမှုတန်ဂျင့်

သတ်မှတ်ထားသောတန်ဖိုး၏ 200% အောက်

ယိုစိမ့်လျှပ်စီးကြောင်း

သတ်မှတ်ထားသောတန်ဖိုး၏ 200% အောက်

ထုတ်ကုန် Dimensional Drawing

SMD
SMD V3MC

အတိုင်းအတာ (ယူနစ်: မီလီမီတာ)

ΦDxL

A

B

C

E

H

K

a

၆.၃x၇၇

၂.၆

၆.၆

၆.၆

၁.၈

0.75±0.10

0.7MAX

±0.4

၈x၁၀

၃.၄

၈.၃

၈.၃

၃.၁

0.90±0.20

0.7MAX

±0.5

၁၀x၁၀

၃.၅

၁၀.၃

၁၀.၃

၄.၄

0.90±0.20

0.7MAX

±0.7

Ripple current frequency correction coefficient

ကြိမ်နှုန်း (Hz)

50

၁၂၀

1K

310K

ကိန်းဂဏန်း

၀.၃၅

၀.၅

၀.၈၃

1

Aluminum Electrolytic Capacitors- တွင်ကျယ်စွာအသုံးပြုသော အီလက်ထရွန်နစ်အစိတ်အပိုင်းများ

အလူမီနီယမ် အီလက်ထရွန်းနစ် ကာပတ်စီတာများသည် အီလက်ထရွန်းနစ်နယ်ပယ်တွင် အသုံးများသော အီလက်ထရွန်နစ် အစိတ်အပိုင်းများဖြစ်ပြီး ၎င်းတို့တွင် ဆားကစ်အမျိုးမျိုးတွင် အသုံးချမှု ကျယ်ပြန့်သည်။ Capacitor အမျိုးအစားတစ်ခုအနေဖြင့်၊ အလူမီနီယမ် အီလက်ထရောနစ် ကာပတ်စီတာများသည် စစ်ထုတ်ခြင်း၊ ချိတ်ဆက်ခြင်းနှင့် စွမ်းအင်သိုလှောင်ခြင်းလုပ်ငန်းဆောင်တာများအတွက် အသုံးပြုသည့် အားကို သိုလှောင်ပြီး ထုတ်လွှတ်ပေးနိုင်သည်။ ဤဆောင်းပါးတွင် အလူမီနီယံလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ပစ္စည်းများ၏လုပ်ဆောင်မှုနိယာမ၊ အသုံးချပရိုဂရမ်များနှင့် ကောင်းကျိုးဆိုးကျိုးများကို မိတ်ဆက်ပေးပါမည်။

အလုပ်အခြေခံ

Aluminum electrolytic capacitors တွင် aluminium foil electrode နှင့် electrolyte နှစ်ခု ပါ၀င်ပါသည်။ အလူမီနီယမ်သတ္တုပြားတစ်ခုသည် anode အဖြစ်သို့ oxidized ဖြစ်ပြီး အခြားလူမီနီယမ်သတ္တုပြားသည် cathode အဖြစ်ဆောင်ရွက်ပြီး electrolyte သည် အများအားဖြင့် အရည် သို့မဟုတ် gel ပုံစံဖြင့် ဖြစ်နေသည်။ ဗို့အားကိုအသုံးပြုသောအခါ၊ electrolyte အတွင်းရှိ ion များသည် positive နှင့် negative electrodes များကြားတွင် ရွေ့လျားပြီး လျှပ်စစ်စက်ကွင်းတစ်ခုဖြစ်ပေါ်လာကာ အားကို သိမ်းဆည်းပေးပါသည်။ ၎င်းသည် အလူမီနီယမ် အီလက်ထရောနစ် ကာပတ်စီတာများကို ဆားကစ်များအတွင်း ဗို့အားပြောင်းလဲခြင်းအား တုံ့ပြန်သည့် စွမ်းအင်သိုလှောင်ကိရိယာများ သို့မဟုတ် ကိရိယာများအဖြစ် လုပ်ဆောင်နိုင်စေပါသည်။

အသုံးချမှု

အလူမီနီယမ် အီလက်ထရောနစ် ကာပတ်စီတာများသည် အမျိုးမျိုးသော အီလက်ထရွန်နစ်ကိရိယာများနှင့် ဆားကစ်များတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့် အသုံးချမှုများရှိသည်။ ၎င်းတို့ကို ပါဝါစနစ်များ၊ အသံချဲ့စက်များ၊ စစ်ထုတ်မှုများ၊ DC-DC ပြောင်းစက်များ၊ မော်တာဒရိုက်များနှင့် အခြားဆားကစ်များတွင် တွေ့ရများသည်။ ဓာတ်အားစနစ်များတွင်၊ အလူမီနီယမ် အီလက်ထရောနစ် ကာပတ်စီတာများကို ပုံမှန်အားဖြင့် အထွက်ဗို့အား ချောမွေ့စေပြီး ဗို့အားအတက်အကျများကို လျှော့ချရန်အတွက် အသုံးပြုသည်။ အသံအရည်အသွေးကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် ၎င်းတို့ကို ချိတ်ဆက်ခြင်းနှင့် စစ်ထုတ်ခြင်းအတွက် ၎င်းတို့ကို အသံချဲ့စက်များတွင် အသုံးပြုပါသည်။ ထို့အပြင်၊ အလူမီနီယံလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားလျှပ်စစ်ဓာတ်ပစ္စည်းများအားအဆင့်ပြောင်းရွေ့ပြောင်းကိရိယာများ၊

အားသာချက်များနှင့် Cons

အလူမီနီယမ်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားသွင်းကိရိယာများသည် စွမ်းရည်မြင့်မားခြင်း၊ ကုန်ကျစရိတ်သက်သာခြင်းနှင့် ကျယ်ပြန့်စွာအသုံးချခြင်းကဲ့သို့သော အားသာချက်များစွာရှိသည်။ သို့သော် ၎င်းတို့တွင် ကန့်သတ်ချက်အချို့ရှိသည်။ ပထမဦးစွာ၊ ၎င်းတို့သည် polarized စက်ပစ္စည်းများဖြစ်ပြီး ပျက်စီးမှုမဖြစ်စေရန် မှန်ကန်စွာချိတ်ဆက်ထားရပါမည်။ ဒုတိယအနေနှင့်၊ ၎င်းတို့၏ သက်တမ်းသည် တိုတောင်းပြီး လျှပ်စစ်ဓာတ်ခမ်းခြောက်ခြင်း သို့မဟုတ် ယိုစိမ့်မှုကြောင့် ပျက်ကွက်နိုင်သည်။ ထို့အပြင်၊ အလူမီနီယံလျှပ်စစ်ဓာတ်အားသွင်းကိရိယာများ၏စွမ်းဆောင်ရည်သည် ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသောအသုံးချပရိုဂရမ်များတွင် အကန့်အသတ်ရှိနိုင်သည်၊ ထို့ကြောင့် အခြားသော capacitors အမျိုးအစားများကို သီးခြားအသုံးချမှုအတွက် ထည့်သွင်းစဉ်းစားရန် လိုအပ်ပါသည်။

နိဂုံး

နိဂုံးချုပ်အားဖြင့်၊ အလူမီနီယမ် အီလက်ထရွန်းနစ် ကာပတ်စီတာများသည် အီလက်ထရွန်းနစ်နယ်ပယ်တွင် ဘုံအီလက်ထရွန်နစ် အစိတ်အပိုင်းများအဖြစ် အရေးကြီးသော အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။ ၎င်းတို့၏ ရိုးရှင်းသော လုပ်ဆောင်မှုနိယာမနှင့် ကျယ်ပြန့်သော အပလီကေးရှင်းများသည် အီလက်ထရွန်နစ် စက်များနှင့် ဆားကစ်များစွာတွင် မရှိမဖြစ် အစိတ်အပိုင်းများကို ဖြစ်စေသည်။ အလူမီနီယမ် အီလက်ထရောနစ် ကာပတ်စီတာများသည် ကန့်သတ်ချက်အချို့ရှိသော်လည်း ၎င်းတို့သည် အီလက်ထရွန်းနစ်စနစ်အများစု၏ လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးသည့် အကြိမ်ရေနည်းပါးသော ဆားကစ်များနှင့် အပလီကေးရှင်းများစွာအတွက် ထိရောက်သောရွေးချယ်မှုတစ်ခုအဖြစ် ရှိနေသေးသည်။


  • ယခင်-
  • နောက်တစ်ခု:

  • ထုတ်ကုန်နံပါတ် လည်ပတ်အပူချိန် (℃) ဗို့အား(V.DC) Capacitance(uF) အချင်း(မီလီမီတာ) အရှည်(mm) Leakage current (uA) အဆင့်သတ်မှတ်ထားသော ripple လက်ရှိ [mA/rms] ESR/ Impedance [Ωmax] ဘဝ (နာရီ) အောင်လက်မှတ်
    V3MCC0770J821MV -၅၅~၁၀၅ ၆.၃ ၈၂၀ ၆.၃ ၇.၇ ၅၁.၆၆ ၆၁၀ ၀.၂၄ ၂၀၀၀ -
    V3MCC0770J821MVTM -၅၅~၁၀၅ ၆.၃ ၈၂၀ ၆.၃ ၇.၇ ၅၁.၆၆ ၆၁၀ ၀.၂၄ ၂၀၀၀ AEC-Q200
    V3MCD1000J182MV -၅၅~၁၀၅ ၆.၃ ၁၈၀၀ 8 10 ၁၁၃.၄ ၈၆၀ ၀.၁၂ ၂၀၀၀ -
    V3MCD1000J182MVTM -၅၅~၁၀၅ ၆.၃ ၁၈၀၀ 8 10 ၁၁၃.၄ ၈၆၀ ၀.၁၂ ၂၀၀၀ AEC-Q200
    V3MCE1000J272MV -၅၅~၁၀၅ ၆.၃ ၂၇၀၀ 10 10 ၁၇၀.၁ ၁၂၀၀ ၀.၀၉ ၂၀၀၀ -
    V3MCE1000J272MVTM -၅၅~၁၀၅ ၆.၃ ၂၇၀၀ 10 10 ၁၇၀.၁ ၁၂၀၀ ၀.၀၉ ၂၀၀၀ AEC-Q200
    V3MCC0771A561MV -၅၅~၁၀၅ 10 ၅၆၀ ၆.၃ ၇.၇ 56 ၆၁၀ ၀.၂၄ ၂၀၀၀ -
    V3MCC0771A561MVTM -၅၅~၁၀၅ 10 ၅၆၀ ၆.၃ ၇.၇ 56 ၆၁၀ ၀.၂၄ ၂၀၀၀ AEC-Q200
    V3MCD1001A122MV -၅၅~၁၀၅ 10 ၁၂၀၀ 8 10 ၁၂၀ ၈၆၀ ၀.၁၂ ၂၀၀၀ -
    V3MCD1001A122MVTM -၅၅~၁၀၅ 10 ၁၂၀၀ 8 10 ၁၂၀ ၈၆၀ ၀.၁၂ ၂၀၀၀ AEC-Q200
    V3MCE1001A222MV -၅၅~၁၀၅ 10 ၂၂၀၀ 10 10 ၂၂၀ ၁၂၀၀ ၀.၀၉ ၂၀၀၀ -
    V3MCE1001A222MVTM -၅၅~၁၀၅ 10 ၂၂၀၀ 10 10 ၂၂၀ ၁၂၀၀ ၀.၀၉ ၂၀၀၀ AEC-Q200
    V3MCC0771C471MV -၅၅~၁၀၅ 16 ၄၇၀ ၆.၃ ၇.၇ ၇၅.၂ ၆၁၀ ၀.၂၄ ၂၀၀၀ -
    V3MCC0771C471MVTM -၅၅~၁၀၅ 16 ၄၇၀ ၆.၃ ၇.၇ ၇၅.၂ ၆၁၀ ၀.၂၄ ၂၀၀၀ AEC-Q200
    V3MCD1001C821MV -၅၅~၁၀၅ 16 ၈၂၀ 8 10 ၁၃၁.၂ ၈၆၀ ၀.၁၂ ၂၀၀၀ -
    V3MCD1001C821MVTM -၅၅~၁၀၅ 16 ၈၂၀ 8 10 ၁၃၁.၂ ၈၆၀ ၀.၁၂ ၂၀၀၀ AEC-Q200
    V3MCE1001C152MV -၅၅~၁၀၅ 16 ၁၅၀၀ 10 10 ၂၄၀ ၁၂၀၀ ၀.၀၉ ၂၀၀၀ -
    V3MCE1001C152MVTM -၅၅~၁၀၅ 16 ၁၅၀၀ 10 10 ၂၄၀ ၁၂၀၀ ၀.၀၉ ၂၀၀၀ AEC-Q200
    V3MCC0771E331MV -၅၅~၁၀၅ 25 ၃၃၀ ၆.၃ ၇.၇ ၈၂.၅ ၆၁၀ ၀.၂၄ ၂၀၀၀ -
    V3MCC0771E331MVTM -၅၅~၁၀၅ 25 ၃၃၀ ၆.၃ ၇.၇ ၈၂.၅ ၆၁၀ ၀.၂၄ ၂၀၀၀ AEC-Q200
    V3MCD1001E561MV -၅၅~၁၀၅ 25 ၅၆၀ 8 10 ၁၄၀ ၈၆၀ ၀.၁၂ ၂၀၀၀ -
    V3MCD1001E561MVTM -၅၅~၁၀၅ 25 ၅၆၀ 8 10 ၁၄၀ ၈၆၀ ၀.၁၂ ၂၀၀၀ AEC-Q200
    V3MCE1001E102MV -၅၅~၁၀၅ 25 ၁၀၀၀ 10 10 ၂၅၀ ၁၂၀၀ ၀.၀၉ ၂၀၀၀ -
    V3MCE1001E102MVTM -၅၅~၁၀၅ 25 ၁၀၀၀ 10 10 ၂၅၀ ၁၂၀၀ ၀.၀၉ ၂၀၀၀ AEC-Q200
    V3MCC0771V221MV -၅၅~၁၀၅ 35 ၂၂၀ ၆.၃ ၇.၇ 77 ၆၁၀ ၀.၂၄ ၂၀၀၀ -
    V3MCC0771V221MVTM -၅၅~၁၀၅ 35 ၂၂၀ ၆.၃ ၇.၇ 77 ၆၁၀ ၀.၂၄ ၂၀၀၀ AEC-Q200
    V3MCD1001V471MV -၅၅~၁၀၅ 35 ၄၇၀ 8 10 ၁၆၄.၅ ၈၆၀ ၀.၁၂ ၂၀၀၀ -
    V3MCD1001V471MVTM -၅၅~၁၀၅ 35 ၄၇၀ 8 10 ၁၆၄.၅ ၈၆၀ ၀.၁၂ ၂၀၀၀ AEC-Q200
    V3MCE1001V681MV -၅၅~၁၀၅ 35 ၆၈၀ 10 10 ၂၃၈ ၁၂၀၀ ၀.၀၉ ၂၀၀၀ -
    V3MCE1001V681MVTM -၅၅~၁၀၅ 35 ၆၈၀ 10 10 ၂၃၈ ၁၂၀၀ ၀.၀၉ ၂၀၀၀ AEC-Q200