NPM

ထုတ်ကုန်အတိုင်းအတာ (မီလီမီတာ)

ကြိမ်နှုန်းပြင်ဆင်ချက်

YMIN NPM စီးရီး- High-End အီလက်ထရွန်နစ်ကိရိယာများအတွက် Capacitor စွမ်းဆောင်ရည်ကန့်သတ်ချက်များကို ပြန်လည်သတ်မှတ်ခြင်း။

5G ဆက်သွယ်ရေး၊ အာကာသယာဉ်နှင့် ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများကဲ့သို့သော အဆင့်မြင့်နယ်ပယ်များတွင် သမားရိုးကျလျှပ်စစ်ဓာတ်အားသွင်းကိရိယာများ၏ သက်တမ်းနှင့် တည်ငြိမ်မှုသည် စနစ်ပိတ်ဆို့မှုများဖြစ်လာသည်။ YMIN ၏ NPM စီးရီး၏ လျှပ်ကူးပိုလီမာအလူမီနီယံအစိုင်အခဲ အီလက်ထရွန်းနစ် လျှပ်ကူးပစ္စည်းများ၊ ကမ္ဘာ့အသေးဆုံး အချင်း 3.55 မီလီမီတာ၊ စစ်ဘက်အဆင့် လည်ပတ်မှုအပူချိန် -55°C မှ 105°C နှင့် 100kHz တွင် အလွန်နိမ့်သော ESR သည် မျိုးဆက်သစ် သိပ်သည်းဆမြင့်သော အီလက်ထရွန်နစ် ဒီဇိုင်းများအတွက် စံသတ်မှတ်ချက်အသစ်တစ်ခု သတ်မှတ်ပေးပါသည်။

I. အနှောင့်အယှက်ပေးသော နည်းပညာဆိုင်ရာ ဖောက်ဖျက်မှုများ

1. Nanoscale Conductive Polymer နည်းပညာ
• တော်လှန်ရေး ကြိမ်နှုန်းမြင့် စွမ်းဆောင်ရည်-

သမားရိုးကျ အီလက်ထရောနစ်များကို အစားထိုးရန်အတွက် နာနိုစကေးလျှပ်ကူးပိုလီမာများကို အသုံးပြု၍ ကက်ပါစီတာများသည် ESR 100kHz (6.3V/270μF မော်ဒယ်လ်) တွင် 0.015Ω အနိမ့်ဆုံး ESR ကိုရရှိပြီး စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုအား 80% လျှော့ချပေးသည်။ ကြိမ်နှုန်းမြင့် ripple လက်ရှိစုပ်ယူနိုင်စွမ်းသည် ငါးဆတိုးလာပြီး ပါဝါထောက်ပံ့မှုပြောင်းရာတွင် ဟမ်းပြဿနာကို လုံးဝဖယ်ရှားပေးသည်။

• မိမိကိုယ်ကို ကုသခြင်း ဘေးကင်းရေး ယန္တရား-

ဗို့အားလွန်သောအခါတွင်၊ ပေါ်လီမာမော်လီကျူးကွင်းဆက်များသည် အရည် capacitor electrolyte လျော့နည်းသွားခြင်းကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာသော ပေါက်ကွဲခြင်းအန္တရာယ်ကို လျော့ပါးစေပြီး မိမိကိုယ်ကို ကုသခြင်းအလွှာအဖြစ် ပြန်လည်ဖွဲ့စည်းသည်။ IEC 60384-24 စံနှုန်းများအရ စစ်ဆေးပြီးပါက တိုတောင်းသော ဆားကစ်ချို့ယွင်းမှုနှုန်းသည် 0.001ppm ထက်နည်းပါသည်။

2. လွန်ကဲသောပတ်ဝန်းကျင်များနှင့် လိုက်လျောညီထွေရှိမှု

• ကျယ်ပြန့်သော အပူချိန်၊ စစ်ရေးစံ-

-55°C နိမ့်သောအပူချိန်တွင် စတင်မှုပြောင်းလဲမှုသည် ≤7.2x (စက်မှုပျှမ်းမျှ 15x) နှင့် 2000h အတွက် 105°C တွင် 105°C တွင် အရှိန်မြှင့်အိုမင်းပြီးနောက် စွမ်းရည်ကျဆင်းမှုသည် ≤8% ဖြစ်သည်။ • နှစ်ထပ်ကာကွယ်ရေးဖွဲ့စည်းပုံ-

• ဖုန်စုပ်အိုးတင်ခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်သည် စိုထိုင်းဆ 98% RH အထိ (60°C/1000h စမ်းသပ်ပြီးနောက် ESR ထက် 35% တိုးသည်)။

• အလူမီနီယမ်ခွံ-ပိုလီမာ ပေါင်းစပ်အပူစုပ်ခွက်အလွှာသည် အပူစီးကူးမှုကို 8.3W/mK အထိ တိုးတက်စေသည်။

3. စံချိန်ချိုးနိုင်သော Miniaturization

• ကမ္ဘာ့အသေးဆုံး ရှုထောင့်အချိုး 3.55×11mm-

Φ3.55mm footprint အတွင်း 220μF capacitance (6.3V) ရရှိပြီး သမားရိုးကျ SMD ပက်ကေ့ဂျ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက နေရာ 78% သက်သာစေသည်။ ပင်ချောင်းများသည် 20G စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ရှော့ခ်စမ်းသပ်ခြင်း (MIL-STD-883H) ကိုကျော်ဖြတ်ပြီး အလွန်ပါးလွှာသော ရွှေချထားသည့် ကြေးနီဝါယာကြိုးများကို 0.4 မီလီမီတာ အသုံးပြုထားသည်။

• 3D Stacking လုပ်ငန်းစဉ်-

anodized အလူမီနီယမ်သတ္တုပြားကို နာနို-ထွင်းထုနည်းပညာဖြင့် ကုသပြီး ထိရောက်သော မျက်နှာပြင်ဧရိယာ 120m²/g ရရှိကာ သမားရိုးကျ လုပ်ငန်းစဉ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက capacitance သိပ်သည်းဆ 300% တိုးလာပါသည်။

II Core Technical Parameters များကို လေ့လာခြင်း။

1. High-Frequency Loss Model

P_{loss} = I_{rms}^2 × ESR_{100kHz} + (2πfC)^2 × ESL^2

f > 100kHz ဖြစ်သောအခါ၊ ESL အကျိုးသက်ရောက်မှုကို သမားရိုးကျ capacitors ၏ 1/6 သို့ လျှော့ချသည်။ ဥပမာအနေဖြင့် 50V/22μF မော်ဒယ်ကို ယူခြင်း။
• 500kHz တွင် 98.3% ထိထိရောက်ရောက် ထိန်းထားနိုင်မှု

• Ripple လက်ရှိသယ်ဆောင်နိုင်သောစွမ်းရည်သည် စက်မှုလုပ်ငန်းစံနှုန်းထက် 2.8 ဆဖြစ်သည်။

2. Environmental Adaptability Matrix
Stress Conditions Test Standards NPM Performance Industry ပျမ်းမျှ

အပူချိန်စက်ဝန်း (-55°C မှ 105°C) MIL-STD-202G ΔC/C ≤ ±5% ±15%

စက်တုန်ခါမှု (10-2000Hz) GJB150.16A Resonance Point Displacement <0.1mm 0.3mm

Salt Spray Corrosion (96h) IEC 60068-2-11 Lead Corrosion Area <2% 8%

3. အရှိန်မြှင့်ဘဝပုံစံ

Arrhenius Law ကို အခြေခံ၍ ဆင်းသက်လာသည်-

L_{actual} = L_{test} × 2^{(T_{test} - T_{actual})/10}

105°C/2000h စမ်းသပ်မှုသည် 25°C တွင် 128,000 နာရီ (≈15 နှစ်) နှင့်ညီမျှသော သက်တမ်းကို ထုတ်ပေးပါသည်။

NPM စီးရီးကို ဘာကြောင့် ရွေးချယ်တာလဲ။

မင်းရဲ့ ဒီဇိုင်းနဲ့ ကြုံလာတဲ့အခါ

✅ ကြိမ်နှုန်းမြင့် ဆားကစ်များတွင် Capacitor ညည်းသံ
✅ အပူချိန်လွန်ကဲစွာ ကွာခြားမှုကြောင့် စနစ်ပျက်ယွင်းခြင်း။
✅ Miniaturization နှင့် မြင့်မားသော ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို တပြိုင်နက်တည်း မရနိုင်ပါ။
✅ ဆယ်နှစ်အထက် ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှု ကင်းစင်ရန် လိုအပ်ပါသည်။

YMIN NPM စီးရီးသည် ၎င်း၏ စစ်ဘက်အဆင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှု၊ စံချိန်ချိုး ချိုးနှိမ်မှုအသေးစားပြုလုပ်ခြင်းနှင့် အလွန်ကျယ်ပြန့်သော အပူချိန် လိုက်လျောညီထွေရှိမှုတို့နှင့်အတူ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် အီလက်ထရွန်နစ် ဒီဇိုင်း၏ အခြေခံအုတ်မြစ်ဖြစ်လာသည်။ 6.3V/270μF မှ 100V/4.7μF အထိ ဗို့အားလွှမ်းခြုံမှုကို ပံ့ပိုးပေးသည်-

• ပါရာမီတာ စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်ခြင်း (±5% စွမ်းရည်တိကျမှု)

• ပက်ကေ့ဂျ်ပြန်လည်ဖွဲ့စည်းခြင်း (3D ပေါင်းစပ်ဖွဲ့စည်းမှု ကွဲပြားသောပေါင်းစပ်မှု)

• ပူးတွဲအတည်ပြုခြင်း (ပတ်ဝန်းကျင်လိုက်လျောညီထွေရှိမှုစမ်းသပ်ခြင်း)